transistor mosfet

https://www.rfparts.com/rftransistors/transistor-2sj2sk.html?dir=asc&order=price

https://category.alldatasheet.com/index.jsp?Searchword=27MHZ%20POWER%20AMPLIFIER

https://alltransistors.com/transistor.php?transistor=12698

 

	Vgs(th)	Ciss	Coss	Dc,A	Po,W	Vds	Qg	$
RD06HHF1	0.3W input				6W		30MHz app	$5.5
RD06HVF1	0.6 in				6 out		175 app	$15 $4
RD15HVF1	1,5 in				15 out		175/520	$9 $4
RD16HHF1	0.6 in				16 out		30M app	$9
2SK3476(TE12L,Q) ds	0.5-1.5			3	7-20		520MHz app	$1.12
MRF158	2-5				2(8)		500 app
2SK3074/8				1	3			2.5
2SK3075				5	7(20)		500 app	$1.5
BF988 2-gate				30m	0.2		1300
3SK223 2gate				25m			470
3SK293 2gate				30m			800
TO-92
BF987				30m	300m		300MHz
SOT-89
2SK3475	2-3	11	12	1	0.6-3			1 0.7 2.8/5
RFM01U7P	0.6-1.6			1	1-3
RFM04U6P	0.2-1.2			2	4-7			6.5/10
RQA0009	0.15-0.8	76	40	3	3-6	15		2.25/5br 2.5/5yq 2.5/5sh
RD01MUS1/2	1-3			0.6	0.8-1.4-3.6	30		2.4/5sf 5.5/10yq 5.5/10yq 2.5/5sh 2.6/5
SOT-223
ZVN2106				2	0.7(8)
BLT50				0.5	1			2.63
2SK3756	1-1.5			1	3			?
RD02LUS2  400mW input	0.5-1.5			2	2.3		470(1.5)	0.75/1.75
	Qg	tr	Coss	Ciss	Vgs(th)
TO-252
NCE0107AK	20	4	25	650	0.8-1.5
NCE0110AK	24	7	37	900	1-2
NCE0117K	30	9.3	240	1350	1.2-2.5
NCE6020AK	25	6	70	590	1.2-2.5
NCE0208KA	16	11	90	540	1-2.5
NCE6080	90	7	290	4000	2-4
NCE6990	94	11	310	3400	2-4
NCE6050A	50	5	158	2050	1.4-2.5
TO-220
IRF510	8.3	16	81
IRF530	32	20	150	600	4
IRF9610	8	15	50		3-4
IRF610	8.2	17	53		4
IRF630	31	15	90
IRF830	22	8	160	610
SUD50N03A	15-20	13	920	2400
SUD40N06	40-60	9-20	350	1800	1-3
SUD25N06	25-40	10-20	210	1320	1-3
SUD50N024-06P	19-30	10-15	2550	9000
SPA15N65C3	63	14	540		2-4
RD15HVF1 (2SC1972)					1.5-2.5		500MHz 4A 15W	7/5

Gate Threshold Voltage Vgs(th)

Turn-on Rise Time tr

Total Gate Charge Qg

 

IRF530

3.6M 40w

7M 25w

14M 15w

21M 9w

24M 6w

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 150 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.16 Ohm

2sc3358 BFR96 $10.7/10

5PCS/lot MAR-6SM MAR-6 A06 Cross SMT-86 RF amplifier IC $2

MRF9045NR1 $3 2.5

MRF9060M 26V 450mA 60W 18.0dB 945MHz $2.3

BFR96 15V 100ma 700mW $11/10

mosfet

bf245  Maximum Drain Current |Id|: 0.0065 A

Пара RD16 при 13.8в выдаст 25 ватт и не они боятся КСВ. Если Вы и их умудрились спалить ... ну тогда уж не знаю ... link 

в самодельном SDR трудятся три RD16 по схеме UT2FW 20 ватт отдают при токе три ампера

К примеру MRF151G или BLF278... и заметьте, это старые транзисторы, я с ними работал лет 20 назад, а сейчас есть современные..

Берем самые массово изготовляемые полукустарно трансиверы SWхххх - это транзисторы RD16. Покупаем и делаем. Можно даже скопировать схему полностью. Кто-нибудь слышал, что бы в этих трансиверах сгорел выходной каскад? Ну, а цена ... Нет в мире ничего хорошего и дешёвого. Эти RD - самые дешевые из всех предназначенных 

ранзисторы компании STMicroelectronics - SD4933. Это в два раза более мощные транзисторы в сравнении с MRF150 (300Вт против 150Вт) и главная "фишка" SD4933 в том, что завод изготовитель гарантирует исправность транзистора при рассогласовании с нагрузкой 20:1. 

Name          , Volt , Ciss , Coss , Drain Current (A) , Min Gate Voltage (V)
NE461M04-T1B  , 12V  , 29   , 10   , 0.5               , 3
NE720M04-T1B  , 12V  , 35   , 14   , 0.3               , 2.5
ATF-54143     , 3V   , NA   , NA   , 0.05              , 0.8
ATF-38143     , 3V   , NA   , NA   , 0.1               , 0.7
BS170         , 60V  , 25   , 12   , 0.5               , 1.5
BF862         , 20V  , NA   , NA   , 0.02              , 0.6
MRF5811       , 12V  , NA   , NA   , NA                , NA
BLF188XR      , 65V  , NA   , NA   , 35                , NA
SD2933        , 65V  , NA   , NA   , NA                , NA
PE42742       , 5V   , NA   , NA   , NA                , NA

Name         , Voltage Rating, Ciss
BS170        , 60V            , 25pF (Typical)
2N7000       , 60V            , 50pF (Typical)
MPF102       , 25V            , 8pF (Typical)
BF862        , 20V            , Not specified
2SK170       , 40V            , Not specified
2SK117GR     , 30V            , 4pF (Typical)
2N3819       , 25V            , 5pF (Typical)
BF245A       , 30V            , 7pF (Typical)
2N5485       , 25V            , 7pF (Typical)
J310         , 25V            , 4pF (Typical)
2N4393       , 40V            , 4pF (Typical)
2N4416       , 40V            , 6pF (Typical)
2N4391       , 40V            , 10pF (Typical)
BF981        , 20V            , 2.5pF (Typical)
3SK45        , 20V            , 1.6pF (Typical)
BF256B       , 25V            , 4pF (Typical)
BFW16A       , 30V            , 3pF (Typical)
2N4410A      , 35V            , 4pF (Typical)
BF861A       , 20V            , 2.3pF (Typical)
MPF105       , 25V            , 6pF (Typical)

IRFML8244 mosfet sot-23 5.8A $1.6/10

Si2308DS mosfet sot-23 2A 1W 10ns RT, GT 1.5-3V $2.4/100

2SK2103 mosfet sot-89 2A $2.3/10

BCV46 darlington pnp $1.6/10

2SC4672 npn (2SA1797pnp) sot-89 2A 0.5W 200MHz $2/20

MAR-6SM darlington  16-50mA $2/5

voltage regul :

BL8565 sot-89 $3.7/20

RT9166

MBR0540  $2/100

https://radiochief.ru/obzory/usiliteli-grazhdanskogo-diapazona/

Есть мнение, что вместо родных сгоревших транзисторов с затертой маркировкой можно поставить без переделок IRFZ24N

Построен по двухтактной схеме на полевиках IRF510

Построен по двухтактной схеме на двух мощных полевиках RD100HFF1

https://radiochief.ru/antenny/bazovy-e-antenny-grazhdanskogo-diapazona/